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IRF9910TR

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SO

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