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Rochester Electronics / CSD75211W1723

CSD75211W1723

Hersteller-Teilenummer: CSD75211W1723
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: P-CHANNEL POWER MOSFET
Datenblätter: CSD75211W1723 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieNexFET™
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs5.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Leistung max1.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall12-UFBGA, DSBGA
Lieferantengerätepaket12-DSBGA
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