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NTMD6601NR2G

Hersteller-Teilenummer:	NTMD6601NR2G
Hersteller:	Rochester Electronics
Teil der Beschreibung:	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Datenblätter:	NTMD6601NR2G Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	215mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Leistung max	600mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOIC

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 61711

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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