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Rochester Electronics / FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

Hersteller-Teilenummer: FW276-TL-2H
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Datenblätter: FW276-TL-2H Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)450V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.1Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs3.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds55pF @ 20V
Leistung max1.6W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 21985

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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