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NTJD5121NT1G

Hersteller-Teilenummer:	NTJD5121NT1G
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
Datenblätter:	NTJD5121NT1G Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 20V
Leistung max	250mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SC-88/SC70-6/SOT-363

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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