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Vishay / Siliconix / SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Hersteller-Teilenummer: SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Datenblätter: SQJQ900E-T1_GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs120nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5900pF @ 20V
Leistung max75W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 8 x 8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 8 x 8 Dual
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