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EFC6601R-A-TR

Hersteller-Teilenummer:	EFC6601R-A-TR
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2N-CH EFCP
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-XFBGA, FCBGA
Lieferantengerätepaket	EFCP2718-6CE-020

KAUFOPTIONEN

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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