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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / EFC6601R-A-TR

EFC6601R-A-TR

Hersteller-Teilenummer: EFC6601R-A-TR
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall6-XFBGA, FCBGA
LieferantengerätepaketEFCP2718-6CE-020
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