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Hersteller-Teilenummer: | ALD111933SAL |
Hersteller: | Advanced Linear Devices, Inc. |
Teil der Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
Datenblätter: | ALD111933SAL Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | EPAD® |
Paket | Tube |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Lagerbestand: 13
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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