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IRF5851TR

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.7A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Leistung max	960mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	6-TSOP

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