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Rochester Electronics / BSC750N10NDGATMA1

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BSC750N10NDGATMA1

Hersteller-Teilenummer: BSC750N10NDGATMA1
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,
Datenblätter: BSC750N10NDGATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
Rochester Electronics BSC750N10NDGATMA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 12µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 50V
Leistung max26W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-4
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2624

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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BSC750N10NDGATMA1

Rochester Electronics
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