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Hersteller-Teilenummer: | CSD86356Q5D |
Hersteller: | Texas Instruments |
Teil der Beschreibung: | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
Datenblätter: | CSD86356Q5D Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | NexFET™ |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
Leistung max | 12W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
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Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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