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Rochester Electronics / NTLTD7900ZR2G

NTLTD7900ZR2G

Hersteller-Teilenummer: NTLTD7900ZR2G
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Datenblätter: NTLTD7900ZR2G Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 16V
Leistung max1.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketMicro8™
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 303816

Minimum: 1

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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