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NVMD6P02R2G

Hersteller-Teilenummer:	NVMD6P02R2G
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 16V
Leistung max	750mW
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOIC

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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