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Rochester Electronics / ECH8602M-TL-H

ECH8602M-TL-H

Hersteller-Teilenummer: ECH8602M-TL-H
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
Datenblätter: ECH8602M-TL-H Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 3000

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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