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2SK3666-2-TB-E

Hersteller-Teilenummer:	2SK3666-2-TB-E
Hersteller:	Rochester Electronics
Teil der Beschreibung:	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET F
Datenblätter:	2SK3666-2-TB-E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	*
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	-
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	-
Stromaufnahme (Id) - max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Widerstand - RDS (Ein)	-
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Paket / Fall	-
Lieferantengerätepaket	-

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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