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Hersteller-Teilenummer: | 2SK879-GR(TE85L,F) |
Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Teil der Beschreibung: | JFET N-CH 0.1W USM |
Datenblätter: | 2SK879-GR(TE85L,F) Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.6 mA @ 10 V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 400 mV @ 100 nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Widerstand - RDS (Ein) | - |
Leistung max | 100 mW |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
Lieferantengerätepaket | USM |
Lagerbestand: 3000
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet