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GeneSiC Semiconductor / GB2X50MPS12-227

GB2X50MPS12-227

Hersteller-Teilenummer: GB2X50MPS12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Teil der Beschreibung: SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Datenblätter: GB2X50MPS12-227 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)93A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 50 A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr40 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1

Minimum: 1

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