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MT3S111TU,LF

Hersteller-Teilenummer:	MT3S111TU,LF
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
Transistortyp	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	6V
Frequenz - Übergang	10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Dazugewinnen	12.5dB
Leistung max	800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	3-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	UFM

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 3372

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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