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GeneSiC Semiconductor / 1N8031-GA

1N8031-GA

Hersteller-Teilenummer: 1N8031-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Teil der Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Datenblätter: 1N8031-GA Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusObsolete
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 1 A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F.76pF @ 1V, 1MHz
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-276AA
LieferantengerätepaketTO-276
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 250°C
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