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TRS8E65C,S1Q

Hersteller-Teilenummer:	TRS8E65C,S1Q
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Datenblätter:	TRS8E65C,S1Q Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
Diodentyp	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)	8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr	90 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F.	44pF @ 650V, 1MHz
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-2
Lieferantengerätepaket	TO-220-2L
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle	175°C (Max)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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