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ROHM Semiconductor / RFUH10TF6S

RFUH10TF6S

Hersteller-Teilenummer: RFUH10TF6S
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Datenblätter: RFUH10TF6S Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusNot For New Designs
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.8 V @ 10 A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 600 V
Kapazität @ Vr, F.-
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220NFM
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
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