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ROHM Semiconductor / RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Hersteller-Teilenummer: RFN30TS6SGC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Datenblätter: RFN30TS6SGC11 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusActive
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 30 A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 600 V
Kapazität @ Vr, F.-
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 37

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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