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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / 1N6482HE3/97

1N6482HE3/97

Hersteller-Teilenummer: 1N6482HE3/97
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Datenblätter: 1N6482HE3/97 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieSUPERECTIFIER®
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusActive
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 600 V
Kapazität @ Vr, F.8pF @ 4V, 1MHz
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallDO-213AB, MELF (Glass)
LieferantengerätepaketDO-213AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
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