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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Hersteller-Teilenummer: NSB8BTHE3/45
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Datenblätter: NSB8BTHE3/45 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusDiscontinued at Digi-Key
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 100 V
Kapazität @ Vr, F.55pF @ 4V, 1MHz
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
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