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GeneSiC Semiconductor / 1N3768

1N3768

Hersteller-Teilenummer: 1N3768
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Datenblätter: 1N3768 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusActive
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 35 A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 50 V
Kapazität @ Vr, F.-
BefestigungsartChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 190°C
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