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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-SD303C10S10C

VS-SD303C10S10C

Hersteller-Teilenummer: VS-SD303C10S10C
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Datenblätter: VS-SD303C10S10C Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusActive
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)350A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.26 V @ 1100 A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1 µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr35 mA @ 1000 V
Kapazität @ Vr, F.-
BefestigungsartClamp On
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, A-PUK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
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