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FGA50N100BNTDTU

Hersteller-Teilenummer:	FGA50N100BNTDTU
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Datenblätter:	FGA50N100BNTDTU Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Last Time Buy
IGBT-Typ	NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	50 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)	100 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
Leistung max	156 W
Energie schalten	-
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	275 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.	-
Testbedingung	-
Reverse Recovery Time (trr)	1.5 µs
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket	TO-3P

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 890

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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