+1(337)-398-8111 Live-Chat
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

Hersteller-Teilenummer: GT30J121(Q)
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
Alle Elektronikkomponenten werden durch ESD-Antistatikschutz sehr sicher verpackt.

package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie*
PaketTube
TeilestatusActive
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)30 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)60 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A
Leistung max170 W
Energie schalten1mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.90ns/300ns
Testbedingung300V, 30A, 24Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P(N)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

Beliebte Modelle
Product

GT30J121(Q)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Product

GT30J341,Q

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Top