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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Hersteller-Teilenummer: HGTG11N120CND
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Datenblätter: HGTG11N120CND Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusNot For New Designs
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)43 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)80 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 11A
Leistung max298 W
Energie schalten950µJ (on), 1.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/180ns
Testbedingung960V, 11A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70 ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3
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Lagerbestand: 34

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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