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FGA25N120ANDTU

Hersteller-Teilenummer:	FGA25N120ANDTU
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Datenblätter:	FGA25N120ANDTU Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	40 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)	75 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 25A
Leistung max	310 W
Energie schalten	4.8mJ (on), 1mJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	200 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.	60ns/170ns
Testbedingung	600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	350 ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket	TO-3P

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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