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IXBK75N170A

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	BIMOSFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	110 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)	300 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	6V @ 15V, 42A
Leistung max	1040 W
Energie schalten	3.8mJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	358 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.	26ns/418ns
Testbedingung	1360V, 42A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	360 ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket	TO-264

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