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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NGTB30N60L2WG
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NGTB30N60L2WG
| Hersteller-Teilenummer: | NGTB30N60L2WG |
| Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Teil der Beschreibung: | IGBT 600V 30A TO247 |
| Datenblätter: | NGTB30N60L2WG Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB30N60L2WG ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | TubeTube |
| Teilestatus | Last Time Buy |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600 V |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 A |
| Strom - Sammler gepulst (Icm) | 60 A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 30A |
| Leistung max | 225 W |
| Energie schalten | 310µJ (on), 1.14mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 166 nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/390ns |
| Testbedingung | 300V, 30A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: 75
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
||
Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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