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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Hersteller-Teilenummer: HGTG18N120BND
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Datenblätter: HGTG18N120BND Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)54 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)160 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 18A
Leistung max390 W
Energie schalten1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge165 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/170ns
Testbedingung960V, 18A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 448

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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40 US-Dollar von FedEx.

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