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HGT1S10N120BNST

Hersteller-Teilenummer:	HGT1S10N120BNST
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Datenblätter:	HGT1S10N120BNST Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	35 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)	80 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Leistung max	298 W
Energie schalten	320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	100 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.	23ns/165ns
Testbedingung	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	TO-263AB

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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