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Hersteller-Teilenummer: | RGT8NS65DGTL |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Teil der Beschreibung: | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
Datenblätter: | RGT8NS65DGTL Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650 V |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 8 A |
Strom - Sammler gepulst (Icm) | 12 A |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung max | 65 W |
Energie schalten | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 13.5 nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/69ns |
Testbedingung | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | LPDS (TO-263S) |
Lagerbestand: 922
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet