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ROHM Semiconductor / RGT8NS65DGTL

RGT8NS65DGTL

Hersteller-Teilenummer: RGT8NS65DGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Datenblätter: RGT8NS65DGTL Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)8 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)12 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Leistung max65 W
Energie schalten-
EingabetypStandard
Gate Charge13.5 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/69ns
Testbedingung400V, 4A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketLPDS (TO-263S)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 922

Minimum: 1

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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