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PMN50XP,165

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1020 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SC-74, SOT-457

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