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R5009ANJTL

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	720mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LPTS
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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