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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK8Q60W,S1VQ
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TK8Q60W,S1VQ
| Hersteller-Teilenummer: | TK8Q60W,S1VQ |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 8A IPAK |
| Datenblätter: | TK8Q60W,S1VQ Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8Q60W,S1VQ ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | DTMOSIV |
| Paket | Tube |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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