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PHK4NQ20T,518

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6.25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Beliebte Modelle

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