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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN4R303NL,L1Q
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TPN4R303NL,L1Q
| Hersteller-Teilenummer: | TPN4R303NL,L1Q |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON |
| Datenblätter: | TPN4R303NL,L1Q Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 14.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Ankunft in 3-5 Tagen
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