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NTP8G202NG

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	65W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3

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