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PMF63UN,115

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	3.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	185 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-323-3
Paket / Fall	SC-70, SOT-323

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 83833

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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