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TSM9ND50CI

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	24.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1116 pF @ 50 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ITO-220
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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