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Hersteller-Teilenummer: | AOI11S60 |
Hersteller: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A |
Datenblätter: | AOI11S60 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | aMOS™ |
Paket | Tube |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 100 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-251A |
Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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