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PSMN1R7-40YLDX

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	200A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.05V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7966 pF @ 20 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)	194W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SC-100, SOT-669

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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