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RRQ020P03TCR

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	3.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	230 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.25W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TSMT6 (SC-95)
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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