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FQT4N20LTF

Hersteller-Teilenummer:	FQT4N20LTF
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Datenblätter:	FQT4N20LTF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	QFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	850mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	310 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-223-4
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1747

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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