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TK62J60W,S1VQ

Hersteller-Teilenummer:	TK62J60W,S1VQ
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Datenblätter:	TK62J60W,S1VQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	DTMOSIV
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	61.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 3.1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 300 V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	400W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P(N)
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 62

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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