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3N163-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3.5 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-72
Paket / Fall	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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