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BSP297L6327HTSA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	SIPMOS®
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	660mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	16.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	357 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-SOT223-4
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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